特許
J-GLOBAL ID：200903076581571250
金属被覆ポリイミド基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015974
公開番号（公開出願番号）：特開平6-200396
出願日： 1993年01月05日
公開日（公表日）： 1994年07月19日
要約：
【要約】【目的】 ニッケル等の無電解めっき被膜と電気銅めっき被膜とを被着させることによる金属被覆ポリイミド基板の製造方法において両被膜間の密着性を向上させる方法を提供する。【構成】 ポリイミド樹脂フィルム基板の表面にニッケル、またはコバルト、またはこれらの金属の合金のうちの何れかを無電解めっきにより析出させた後不活性雰囲気中で熱処理を施し、次いでニッケル等の無電解めっき被膜面に電気銅めっきまたは無電解銅めっきを施すことにより金属被覆ポリイミド基板を製造する方法において、熱処理を施した後のニッケル等の無電解めっき被膜面を過マンガン酸塩、次亜塩素酸塩およびペルオキソ硫酸塩のうちの何れか1種を含む水溶液を用いて表面処理することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ポリイミド樹脂フィルム基板の表面にニッケル、またはコバルト、またはこれらの金属の合金のうちの何れかを無電解めっきにより析出させた後不活性雰囲気中で熱処理を施し、その後前記無電解めっき面に電気銅めっきを施すことにより金属被覆ポリイミド基板を製造する方法において、熱処理を施した後の基板を過マンガン酸塩、次亜塩素酸塩およびペルオキソ硫酸塩のうちの何れか1種を含む水溶液を用いて表面処理することを特徴とする金属被覆ポリイミド基板の製造方法。
IPC (5件)：
C25D 5/56
, C23C 18/32
, C23C 18/52
, H01L 21/60 311
, H05K 3/18
