特許
J-GLOBAL ID：200903076582139077
新規インドアニリン金属錯体、その製造方法、それを用いた透明記録体及び光学記録媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤野 清也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-094672
公開番号（公開出願番号）：特開平8-337586
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【課題】 近赤外領域に大きな吸収を有し、可視領域の吸収が少なく、しかも有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能で、耐光性等の保存性に優れた且つ、記録濃度が高く、コントラストが良好で、耐光性に優れた透明記録体に用いる、新規インドアニリン金属錯体を提供する。【解決手段】 一般式(1) または一般式(2) で表される新規インドアニリン金属錯体、及びその製造方法。【化1】【化2】また、透明な支持体上に、顕色剤と、該顕色剤と反応して発色する有機酸の金属塩若しくはロイコ染料と、上記一般式(1) または一般式(2) で表される近赤外吸収材料を含有した透明記録層を設けることを特徴とする透明記録体。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)【化1】(式中、Mは金属原子を表し、R1 及びR2 は水素原子、置換又は非置換のアルキル基、置換又は非置換のアリール基を表し、又は直接結合して含窒素5員環もしくは6員環あるいはそれらの環を含む縮合環を形成する。R3 は水素原子又は電子供与性基を表し、R4 、R5 及びR6 は水素原子又は電子吸引性基を表す。i、j、kは1〜3の整数、l及びnは1〜4の整数、mは1又は2を表す。Xは陰イオンを表す)で表される新規インドアニリン金属錯体。
IPC (13件)：
C07F 1/08
, B41M 5/26
, B41M 5/30
, C07D221/12
, C07F 15/00
, C07F 15/02
, C07F 15/04
, C07F 15/06
, C09B 53/02
, C09B 57/10
, C09K 3/00 105
, G03F 1/00
, G11B 7/24 516
C07F 1/08 C
, C07D221/12
, C07F 15/00 F
, C07F 15/00 C
, C07F 15/02
, C07F 15/04
, C07F 15/06
, C09B 53/02
, C09B 57/10
, C09K 3/00 105
, G03F 1/00 Z
, G11B 7/24 516
, B41M 5/18 H
, B41M 5/18 101 C
, B41M 5/18 108
, B41M 5/26 Y
