特許
J-GLOBAL ID：200903076587486492
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-303002
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139125
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 LSI等の集積回路を内蔵した半導体チップを樹脂封止して成る半導体装置において、ワイヤショートの防止及びチップサイズの縮小を可能にする。【構成】 LSIチップ10の端縁に沿って多数の電極12を2列状に且つ列間でずらして配置する。チップ10のコーナー近傍では、端縁に近い1列の電極のみ配置する。各電極12をボンディングワイヤ18により対応するリードのインナーリード部16aに接続する。チップ10、支持ステージ14、インナーリード部16a、ワイヤ18等を樹脂体で封止し、樹脂体からリードのアウターリード部を導出する。樹脂モールド時に成形圧によりチップコーナー近傍のワイヤ18が流されてワイヤ同士でショートするのを抑制できる。
請求項（抜粋）：
集積回路を内蔵すると共に該集積回路につながる多数の電極を端縁に沿って複数列状に且つ列間でずらして配置した半導体チップであって、チップコーナー近傍では端縁に近い1列の電極のみ配置したものと、前記半導体チップを接着した支持ステージと、前記半導体チップの周囲に配置された多数のリードであって、該リードのインナーリード部が前記多数の電極にそれぞれ電気的に接続されたものと、前記半導体チップ、前記支持ステージ及び前記リードのインナーリード部を封止する樹脂体とを備え、前記樹脂体から前記リードのアウターリード部を導出して成る半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
, H01L 27/04
, H01L 21/822
