エミッタ製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253524
公開番号（公開出願番号）：特開平7-105834
出願日： 1993年10月12日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】先端半径の大きいエミッタを製造する。【構成】先端半径が0.2μm〜0.8μmのエミッタの先端と放電板7とのギャップを0.5mm程度にする。エミッタ1と放電板7の間に負の低電圧を印加する。エミッタ1を徐々に放電板7に近付ける。ギャップが1.0μm以下になると、エミッタ1と放電板7間に微小放電が発生し、両者の間に放電電流が流れ、エミッタの先端がジュール熱により溶解し、エミッタ先端半径が大略1.0μm以上の球状に再結晶する。低電圧電源13を切り、真空容器8内を高真空状態にする。エミッタ1と放電電極間のギャップを元の0.5mm程度に戻す。エミッション回路16を作動させ、エミッタ1の先端から熱電界放出電子を放出させると、エミッタ1の先端で(100)結晶方位が成長し、平行部1H ́と大きい径のファセット1F ́が形成される。

請求項（抜粋）：

先端を所定の半径に形成したエミッタと、該エミッタに対向させて配置した導電性板との間に電圧を印加し、前記エミッタと導電性板を相対的に移動させることにより該エミッタと導電性板間のギャップを徐々に小さくし一定時間放電させた後、該エミッタ先端から電界放出電子を放出させてエミッタ先端部の所定結晶方位をビルトアップさせたエミッタ製造方法。

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