特許
J-GLOBAL ID：200903076604727466
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234205
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075024
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の入力端子のサージ耐量を向上させる。【構成】パッド55と薄膜抵抗50を同一の島領域内にある同一のベース拡散層上に配置し、半導体基板20上でPNP構造となるようにする。【効果】絶縁膜とPN接合部の容量が直列となるため、サージ電圧が絶縁膜及びPN接合の容量で分圧されサージ耐圧を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板の一主面に設けて島領域を形成する逆導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層内に設けた一導電型の第2の半導体層と、前記第1及び第2の半導体層を含む表面に設けた絶縁膜と、前記第2の半導体層の上の前記絶縁膜上に設けた薄膜抵抗及び前記薄膜抵抗に接続して設けたパッドとを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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