特許

J-GLOBAL ID：200903076608787617

半導体ウェハのベーク方法及びベーク装置

発明者： 上原 美千代 ,  田宮 洋一郎 ,  金井 昭司 ,  黒岩 慶造 ,  大金 信哉 ,  石内 正宏 ,  小森谷 進
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093235
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310416
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ホトリソグラフィ工程におけるホトレジストの加工形状を改善する。【構成】 半導体ウェハ4の主面側と裏面側とに熱源2を設け、主面側と裏面側との温度条件を変えて、主面に塗布されたホトレジストをベークする。プリベークでは、主面側を裏面側よりも高い温度でベークし、露光後現像前のベークでは、裏面側を主面側よりも高い温度でベークする。ベーク装置に載置した半導体ウェハのホトレジストに水分を供給しながら、半導体ウェハのプリベークを行う。【効果】 プリベークでは、残存する有機溶剤の濃度が、表面付近では低く下地付近では高くなり、表面付近の溶解性が低下し、下地付近では向上するので、膜減り及びレジスト残りが減少する。露光後現像前のベークでは、レジスト膜露光境界に生じた定在波を平坦化させる。プリベークの際に水分を供給し、ホトレジストの感光基が反応を起こすのを促進させる。

請求項（抜粋）：

ホトレジスト塗布後現像前の半導体ウェハのベーク方法であって、半導体ウェハを主面側と裏面側とで温度差を設けて加熱することを特徴とする半導体ウェハのベーク方法。

FI (2件)：

H01L 21/30 361 G ,  H01L 21/30 361 H