特許
J-GLOBAL ID:200903076610584880

金属膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-092111
公開番号(公開出願番号):特開平5-266419
出願日: 1992年03月17日
公開日(公表日): 1993年10月15日
要約:
【要約】【目的】 段差を有する基層上での金属膜の形成に際し、段差上部の金属膜の側縁に、枠となるレジストパターンの過剰露光に起因する形状不良(オーバハング)が生じないようにし、薄膜磁気ヘッドの上部磁極の形成への適用により、ボイド,クラック等の欠陥の発生率を低減して信頼性の向上を図る。【構成】 段差を有する基層20の表面に塗布により形成されたレジスト膜12の露光を、段差上部 20aに整合する側に所定の不透光パターン 21bを備えた第1のフォトマスク21を介して露光を行う第1の工程と、段差上部 20bに整合する側に所定の不透光パターン 22bを備えた第2のフォトマスク22を介して露光を行う第2の工程との2工程にて行い、段差上部 20aの薄いレジスト膜12、及び段差下部20b の厚いレジスト膜12の双方に対し過不足なく適正な露光を行わせ、この後の現像により良好な断面形状を有するレジストパターン14を得る。
請求項(抜粋):
段差を有する基層の表面に塗布されたレジスト膜を所定の透光パターン又は不透光パターンを備えたフォトマスクを介して露光し、この後の現像によりレジスト膜が除去された透光パターン部分又は不透光パターン部分に金属膜を成膜して、前記基層表面の前記段差の上下に亘る範囲に金属膜を形成する方法において、前記露光の工程は、前記段差の上部に整合される側に前記透光パターン又は不透光パターンを備えたフォトマスクを介して前記レジスト膜を露光する第1の工程と、前記段差の下部に整合される側に前記透光パターン又は不透光パターンを備えたフォトマスクを介して前記レジスト膜を露光する第2の工程とを含むことを特徴とする金属膜の形成方法。

前のページに戻る