特許

J-GLOBAL ID：200903076612930092

静電誘導バッファ構造を有する半導体素子

発明者： 村岡 公裕 ,  玉蟲 尚茂
出願人/特許権者： 東洋電機製造株式会社 ,  玉蟲 尚茂
代理人 (1件)： 玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-114140
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085244
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明は電力用半導体素子に関し、特にバッファ構造を有する半導体素子においてバッファ層の抵抗を低減化するとともに、アノードからの正孔の注入率を高め、かつカソード・アノード間に強電界を印加し得る新しいバッファ構造(以下、静電誘導バッファ構造と称する)を有する半導体素子を提供することを目的とする。従来のベース層構造を有する素子に比べオン電圧が改善される。【構成】 アノード領域に接するか近傍においてバッファ層を有し、バッファ層は高不純物密度領域と低不純物密度領域の部分を有し、低不純物密度領域は高不純物密度領域との間の拡散電位によって実質的に空乏化されていて、かつ、高不純物密度領域のバッファ層は前記アノード領域と2Ln 以下のピッチ(Ln は電子の拡散長)で短絡されていることを特徴とする静電誘導バッファ構造を有する半導体素子。

請求項（抜粋）：

アノード領域、カソード領域、ゲート領域を有する半導体素子において、前記アノード領域に接するか近傍においてバッファ層を具備するとともに、前記バッファ層は高不純物密度領域と低不純物密度領域の部分を有し、前記低不純物密度領域は前記高不純物密度領域との間の拡散電位によって実質的に空乏化されていて、かつ、前記高不純物密度領域のバッファ層は前記アノード領域と2Ln 以下のピッチ(Ln は電子の拡散長)で短絡されていることを特徴とする静電誘導バッファ構造を有する半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/74 ,  H01L 29/804

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-218067
  
• 特開昭52-069281
  
• 特開昭60-198779