特許

J-GLOBAL ID：200903076613401719

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 平山 照峰 ,  西橋 一嘉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-332633
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148460
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 動作電圧を低減させて消費電力を低減させ、書込/消去電圧を取り扱う高耐圧トランジスタの耐圧性能を緩和させて製造コストを低減させる。【解決手段】 多結晶Si膜24、32で浮遊ゲートが形成され、ONO膜25及びSiN膜27、31、34で容量結合絶縁膜が形成され、多結晶Si膜26、35で制御ゲートが形成されており、開口33及び多結晶Si膜26によって浮遊ゲートに凹部が形成されている。このため、浮遊ゲートの平面的な面積が同等程度の構造に比べて、少なくとも凹部の内側面の面積だけ浮遊ゲートと制御ゲートとの対向面積が広く、容量結合比が高い。

請求項（抜粋）：

浮遊ゲート上に容量結合絶縁膜を介して制御ゲートが積層されている不揮発性半導体記憶装置において、前記浮遊ゲートに凹部が設けられており、前記容量結合絶縁膜及び前記制御ゲートが前記凹部内へ入り込んでいることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434