特許

J-GLOBAL ID：200903076619753145

半導体基板のオゾン洗浄方法

発明者： 田中 一成 ,  堺谷 ひさし ,  石内 征夫 ,  吉田 寛史
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253822
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124888
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板を、好ましくは過酸化水素を含む水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に浸漬し、同時にオゾンを吹き込むことにより洗浄する。【効果】 薬液濃度の低下を生じること無く半導体基板の洗浄を行うことができ、高度に洗浄された半導体基板を得る方法が提供される。

請求項（抜粋）：

半導体基板を、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液及びオゾンを使用して洗浄することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/02 ,  C11D 7/32 ,  H01L 21/308