特許

J-GLOBAL ID：200903076622156247

放電加工方法

発明者： 井上 潔
出願人/特許権者： 株式会社アイ・エヌ・アール研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-247055
公開番号（公開出願番号）：特開平6-055345
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年03月01日
要約：

【要約】【目的】 放電加工において、放電の分散性を高め、それにより鏡面加工ができ、加工速度を向上しようとするものである。【構成】 電極2と被加工体1を対向した加工間隙に循環供給装置8により加工液5を供給しながらパルス電源7によりパルス放電を繰返して加工する放電加工に於いて、前記循環供給装置8の加工液供給管9にホッパ15に収納する粒子16をスクリュ13の制御により供給添加混合して加工間隙に供給し介在させて放電加工する。そして前記供給粒子16として砥粒もしくは炭素と化合物を作り易い金属粒子であって且つ半導体特性を有する粒子を供給するようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電極と被加工体の加工間隙に加工液を供給しながらパルス放電を繰返して加工する放電加工において、前記加工間隙に砥粒もしくは炭素と化合物を作り易い金属粒子であって、且つ半導体特性を有する粒子を介在させた状態で放電を行うことを特徴とする放電加工方法。