特許
J-GLOBAL ID：200903076622512337
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-119111
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312608
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】平面インダクタや平面トランス等の薄膜磁気素子に用いられる磁性薄膜やそれを用いた薄膜磁気素子の製造に際して、磁性薄膜の熱処理による各種緩和によって発生または変化する磁性薄膜の内部応力のウエハに与える力学的影響を低減し、磁性層磁気特性の劣化が最小限となるように抑制する。【解決手段】下地基板1と、下地基板上に形成された磁性薄膜2と、磁性薄膜と下地基板との間に挿入されて形成され、Sn,In,Cd,Bi,Pb,Tlより選ばれた1つまたは複数の元素を主に含む層からなり、下地基板に対する応力を緩和するための応力緩和層4を具備する。
請求項（抜粋）：
下地基板と、前記下地基板上に形成された磁性薄膜と、前記磁性薄膜と下地基板との間に挿入されて形成され、Sn,In,Cd,Bi,Pb,Tlより選ばれた1つまたは複数の元素を主に含む層からなり、下地基板に対する応力を緩和するための応力緩和層とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01F 10/30
, H01F 17/00 A
