特許
J-GLOBAL ID：200903076626052705
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平2-400287
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021841
出願日： 1990年12月04日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 活性層部へのキャリア注入効率を高め、歩留り向上,製造プロセスの容易化を計る。【構成】 活性層とクラッド層の間に、クラッド層よりも禁制帯が大きく、トンネ効果が現われる程度に薄い半導体層を障壁層とする量子井戸構造半導体層を設け、かつ量子井戸内の基底量子準位のエネルギーが活性層のエネルギーより高く、クラッド層のエネルギーより低くなる構造にして活性層部へのキャリアの注入効率を高めている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、活性層と、活性層を両側から挟むクラッド層からなる半導体薄膜を積層した半導体発光素子において、前記活性層とクラッド層の間の少なくとも一方にクラッド層よりも禁制帯が大きく、トンネル効果の現われる程度に薄い半導体を障壁層とする量子井戸構造半導体層を有し、且その基底量子準位のエネルギーが活性層のエネルギーより高く、クラッド層のエネルギーより低いことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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