特許
J-GLOBAL ID：200903076626742396
半導体基板の製造方法及びそれを用いた液晶画像表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213549
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050293
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 安定かつ良好な素子特性を得る。【構成】 絶縁面上に設けられた単結晶半導体層103を有する半導体基板の製造方法において、前記単結晶半導体層103のエッチングにTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドライド)を用いる。
請求項（抜粋）：
絶縁面上に設けられた単結晶半導体層を有する半導体基板の製造方法において、前記単結晶半導体層のエッチングにTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドライド)を用いたことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/308
, H01L 21/18
, H01L 21/84
