特許

J-GLOBAL ID：200903076628139425

半導体製造排ガス除害方法とその装置

発明者： 今村 啓志
出願人/特許権者： カンケンテクノ株式会社
代理人 (1件)： 森 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-141049
公開番号（公開出願番号）：特開平7-323211
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、半導体製造現場において求められる排ガスの除害を安全且つ確実に行え、しかもランニング・コストが安く、継続的使用において長時間にわたって安定的に稼働することができる事は勿論、半導体製造における多岐多様な条件に追従して何れの排ガスをもそれら成分のTLV以下の濃度まで除害処理できるようにする事である。【構成】 水溶性成分ガス又は加水分解成分ガスの少なくともいずれか一方と熱分解成分ガスを含む半導体製造排ガス(F1)を水洗にて前記水溶性成分ガス又は/及び加水分解成分ガスを除去した後、水洗排ガス(F2)の熱分解成分ガスを加熱によって分解し、熱分解によって発生した熱分解排ガス(F3)内の粉塵を水洗除去し、清浄排ガス(F4)とする。

請求項（抜粋）：

水溶性成分ガス又は加水分解成分ガスの少なくともいずれか一方と熱分解成分ガスを含む半導体製造排ガスを水洗にて前記水溶性成分ガス又は/及び加水分解成分ガスを除去した後、水洗排ガスの熱分解成分ガスを加熱によって分解し、熱分解によって発生した熱分解排ガス内の粉塵を水洗除去し、清浄排ガスとする半導体製造排ガス除害方法。

IPC (5件)：

B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/14 ZAB ,  B01D 53/18 ZAB ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 341