特許

J-GLOBAL ID：200903076628684202

半導体装置の内部降圧回路

発明者： 伊原 誠
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-177030
公開番号（公開出願番号）：特開平5-019914
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【構成】内部降圧回路21に、動作/待機スイッチ信号41に従って内部降圧回路21を流れる電流をオン及びオフするトランジスタ28を設け、さらに、半導体装置が待機状態にある間、所定のデューティ比を有するパルス状の制御信号をトランジスタ27に与えるようにする。【効果】半導体装置の待機時には内部降圧回路は所定のデューティ比で間欠的にしか動作しないため、消費電力がそのデューティ比に応じて低減される。

請求項（抜粋）：

半導体装置の内部降圧回路であって、所定デューティ比のパルス信号を発生するパルス信号発生手段、及び該パルス信号を受け、該半導体装置の待機時に、該パルス信号に応じて該内部降圧回路を周期的に活性化させるスイッチ手段を備えている、半導体装置の内部降圧回路。