特許

J-GLOBAL ID：200903076630719420

半導体記憶装置

発明者： 笠 靖
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156889
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005870
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 半導体記憶装置に設けられた複数個のメモリセルトランジスタを部分的に且つ選択的に一括書き込み、或いは一括消去を行う事に出来る半導体記憶装置を提供する。【構成】 第1の導電型、例えばN型を有する基板2上もしくは、第1の導電型、例えばN型を有するウェル2’内に、所定の領域に亘たって第2の導電型、例えばP型を有するウェル7を形成すると共に、該第2の導電型、例えばP型を有するウェル7内に第1の導電型、例えばN型を有するチャネルを持ったメモリセルトランジスタ10が形成されている半導体記憶装置1。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する基板上もしくは、第1の導電型を有するウェル内に、所定の領域に亘たって第2の導電型を有するウェルを形成すると共に、該第2の導電型を有するウェル内に第1の導電型を有するチャネルを持ったメモリセルトランジスタが形成されている事を特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D