特許

J-GLOBAL ID：200903076633235629

半導体装置の実装構造

発明者： 古畑 勝利
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274872
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102410
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 異方性導電膜を用いた実装構造において、複数の半導体装置を1枚の基板に実装する場合、一括して異方性導電膜を貼る。この場合、複数の半導体装置の間隔が充分に離れていれば問題はないが、コンパクト化、高密度化が要求される場合は、前記半導体装置を隣接して配置せざるをえない。この場合、まず一方の半導体装置を加熱・加圧して実装する。この時、実装時の熱が基板や基板表面に配置した配線パターンを伝導し、他方の半導体装置をこれから実装する部分に既に貼りつけられている異方性導電膜を構成する絶縁性樹脂の熱硬化を進めてしまい、他方の半導体装置を実装する際に、加熱・加圧しても絶縁性樹脂が充分軟化せず、基板と半導体装置の保持が不十分となり、バンプと基板の電極との電気的導通が確保できなくなるという、電子機器としては致命的な欠陥となるという問題がある。【解決手段】 以上のような問題を解決するために、本発明の半導体装置の実装構造では、複数の半導体装置の間の基板にスリットを設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁性樹脂に導電粒子が分散してなる異方性導電膜を介在させた状態で、半導体装置の所定の面を基板の部品実装面に加熱下で圧着することにより、前記半導体装置の所定の面と前記基板の部品実装面とを前記絶縁性樹脂で接合すると共に、前記半導体装置の所定の面に形成されたバンプと、このバンプに対向する前記基板の部品実装面に形成の電極とを、前記導電粒子を介して電気的に接続する半導体装置の実装構造において、複数の半導体装置を実装するために、異方性導電膜を一括して基板の部品実装面に貼りつけ、複数の半導体装置の間の基板にスリットを設けたことを特徴とする、半導体装置の実装構造。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 F

Fターム (6件)：

5F044KK01 ,  5F044KK10 ,  5F044KK11 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ01 ,  5F044RR01