特許

J-GLOBAL ID：200903076635317975

半導体装置

発明者： 青野 浩二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341666
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169064
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 マイクロ波半導体装置において、整合回路のチップ面積占有率を低くする。【構成】 バイアホール1aが形成された上方に、下地電極7,キャパシタ絶縁膜8,上地電極9からなるMIMキャパシタを形成し、さらにこの上に絶縁膜10を介してスパイラルインダクタ11,金属抵抗12を配置する。【効果】 ウエハ当りの理論チップ数が増し、1ウエハ当りの良品数を増すことができる。

請求項（抜粋）：

高周波信号を増幅するための増幅器と、該増幅器の入出力信号のインピーダンスを整合するための整合回路と、各増幅器間を接続するための結合回路とを備えた半導体装置において、上記整合回路または結合回路同士を複数個組み合わせ、または整合回路,結合回路,増幅器の中から任意のものを複数個組み合わせ、これらを積層して配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 23/12 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-276269
  
• 特開平2-276269
  
• 特開平4-116862