特許

J-GLOBAL ID：200903076636798772

スパツタ法による成膜方法

発明者： 大西 正司 ,  山中 茂幸
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 坂本 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-011945
公開番号（公開出願番号）：特開平6-219783
出願日： 1993年01月27日
公開日（公表日）： 1994年08月09日
要約：

【要約】【構成】金属、金属酸化物及び金属窒化物等の薄膜を真空中で移動するガラス基板に成膜するスパッタ法による成膜方法において、ターゲツトとガラス基板の間にシールド部材を設けて部分的シールを施し、側域から中央域にかけての開口部の開口状態を制御するようにしたスパツタ法による成膜方法。特にシールド部材をスパツタリング装置の側壁から突設するようにし、ターゲツトとガラス基板の間でガス導入管の上側に配置し、ガス導入管及びアノード電極をカバー様とするようにするスパツタ法による成膜方法【効果】種々の膜厚分布に対応し得、比較的手軽で容易に改善し得て、シールド部材の役割を活かしつつ格段に膜厚分布を均一化でき、しかも膜質を均質化できて光学特性並びに物性等のバラツキを解消して向上し、より高品質の各種膜付きガラス基板を、安定かつ確実に再現性よく得れ、生産性に優れる。

請求項（抜粋）：

金属薄膜、金属酸化物薄膜および金属窒化物薄膜を真空中で移動するガラス基板に成膜するスパッタ法による成膜方法において、ターゲツトとガラス基板の間にシールド部材を設けて部分的シールを施し、側域から中央域にかけての開口部の開口状態を制御するようにしたことを特徴とするスパツタ法による成膜方法。

IPC (8件)：

C03C 17/00 ,  B60J 1/00 ,  C03C 17/06 ,  C03C 17/22 ,  C03C 17/23 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/54