特許

J-GLOBAL ID：200903076640337755

薄膜トランジスタ、およびその製造方法、並びに不純物導入装置

発明者： 筒 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152583
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204800
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 オフ時電流およびTFT特性のばらつきを低減し、ホットキャリアの発生等に起因するTFT特性の劣化を防止して信頼性を向上させ、製造工程を簡略化して製造コストを低減できる薄膜トランジスタ、製造方法、および不純物注入装置を提供する。【解決手段】 バイアス電源21bによりゲート電極14に+30kVのバイアス電圧を印加した状態で多結晶シリコン層12にイオンドーピングを行うと、ゲート電極14の周囲にはバイアス電界33が形成され、不純物イオンは、進路が曲げられたり減速されたりし、また、その作用はゲート電極14から離れる程弱くなるため、ソース領域12aおよびドレイン領域12bとチャネル領域12cとの間に、不純物濃度がソース領域12aおよびドレイン領域12bに向けて連続的に徐々に高くなる接合領域12d,12dが形成される。

請求項（抜粋）：

チャネル領域と、上記チャネル領域の両側に配置されたソース領域、およびドレイン領域とが形成された半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、上記チャネル領域とソース領域との間、またはチャネル領域とドレイン領域との間の少なくとも一方に、チャネル領域からソース領域またはドレイン領域に向けて、不純物濃度が連続的に増加する接合領域が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 618 F ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 627 G