特許

J-GLOBAL ID：200903076640769973

半導体素子の過負荷保護回路

発明者： 川上 浩之
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-047843
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246931
出願日： 1996年03月06日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】ブリッジ回路等に用いられる半導体素子1を過電流や負荷短絡等の過負荷状態に応じて合理的に保護する。【解決手段】半導体素子1に流れる電流iを検出してその電流値を表す検出信号Siを発する電流検出手段10と, 電流検出信号Siを常時監視してその信号値が電流基準値を越えたとき保護指令Spを発する電流監視手段20と, 半導体素子1に掛かる電圧vを電圧基準値Evと比較してそれらの大小に応じて論理状態が変わる比較信号Scを発する電圧監視手段30と, 比較信号Scのローやハイに応じて2個の電流基準値EiaとEibの内の例えばEibを釈放または短絡して電流監視手段20に与える電流基準値を切り換える切換手段40とを用い、保護指令Spに応じて半導体素子1を電流基準値に応じて過電流状態や負荷短絡状態から解除する。

請求項（抜粋）：

半導体素子に流れる電流を検出してその電流値を表す信号値の検出信号を発する電流検出手段と、電流検出信号の信号値を常時監視してそれが電流基準値を越えたとき保護指令を発する電流監視手段と、半導体素子に掛かる電圧値を電圧基準値と比較して両値の大小に応じて論理状態が変わる比較信号を発する電圧監視手段と、比較信号がとる論理状態に応じて電流基準値と電流検出信号値のいずれかのレベルを切り換える切換手段とを備え、保護指令に基づいて半導体素子を過負荷状態から解除するようにしたことを特徴とする半導体素子の過負荷保護回路。