特許
J-GLOBAL ID:200903076647545868

圧力センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 広瀬 和彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-165515
公開番号(公開出願番号):特開2002-357497
出願日: 2001年05月31日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 金属膜配線が損傷した場合であっても撓み検出素子からの信号を外部に出力でき、信頼性、耐久性が高い圧力センサを提供する。【解決手段】 基板1には凹陥溝4を設け、ダイヤフラム部4を形成する。また、ダイヤフラム部4には、ピエゾ抵抗素子5を形成すると共に、このピエゾ抵抗素子5に接続された金属膜配線7を形成する。さらに、ダイヤフラム部4には、金属膜配線7に沿って延びると共に、その全長に亘って接触した拡散層配線8を形成する。これにより、ダイヤフラム部4の撓み変形に伴って金属膜配線7に金属疲労等が生じても、拡散層配線8を通じてピエゾ抵抗素子5からの信号を伝達することができる。
請求項(抜粋):
半導体材料からなる基板と、該基板の裏面側に凹陥溝を形成することにより該基板の表面側に設けられたダイヤフラム部と、該ダイヤフラム部に設けられ圧力によって該ダイヤフラム部が変形するときの撓みを検出する撓み検出素子と、該撓み検出素子に接続されて前記ダイヤフラム部から前記基板上を延びる金属膜配線とからなる圧力センサにおいて、前記ダイヤフラム部には不純物を拡散して形成され前記金属膜配線に並列に接続された拡散層配線を設けたことを特徴とする圧力センサ。
IPC (2件):
G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84
FI (2件):
G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B
Fターム (24件):
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF49 ,  2F055GG01 ,  2F055GG15 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA05 ,  4M112CA08 ,  4M112CA09 ,  4M112CA11 ,  4M112CA13 ,  4M112DA12 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112FA06 ,  4M112FA10

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