特許
J-GLOBAL ID：200903076663627564
液晶表示装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231495
公開番号（公開出願番号）：特開平5-072553
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】表示装置用の薄膜半導体装置において、欠陥が発生しにくくかつ、多階調,高精細表示に適し、良好な製造歩留まりを実現できる構造及び製造方法を提供する。【構成】第1の画素電極13と走査信号電極10を同一面内に形成し、第1の画素電極13と映像信号電極14をゲートSiN膜21により絶縁分離した。また、ゲートSiN膜21に設けた開孔部を介して第1の画素電極13に接続した、レーザビーム等で切断が可能な第2の画素電極16と走査信号電極10により付加容量を構成した。【効果】本発明の構成とすることにより電極間でのショートを防止できる。また、信頼性の高い付加容量を実現できる。また、断線不良が低減できると共に、第1の画素電極の幅を拡大すれば開口率が向上する。以上により、多階調,高精細表示に適した表示装置用の薄膜半導体装置を良好な歩留まりで製造できる。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板上に形成された走査信号線と、前記走査信号線の一部に形成したゲート電極と、前記走査信号線及びゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記走査信号線に交差するように前記絶縁膜上に形成された映像信号線と、前記映像信号線に接続されたドレイン電極と、画素電極に接続されたソース電極とからなる薄膜半導体を内蔵した液晶表示装置において、前記画素電極は前記走査信号線と同一の平面上に透明電極で形成し、前記透明電極及び走査信号線上に前記絶縁膜を形成し、前記透明電極上の前記絶縁膜のない開孔部を介して前記透明電極に接続した導電性金属からなる容量電極とで構成し、前記容量電極と前記走査信号線およびこれらの電極に挟持された絶縁層によって付加容量を構成したことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 27/12
