特許

J-GLOBAL ID：200903076664150362

半導体装置の製造方法

発明者： 菅原 定生 ,  細川 淳 ,  澤口 一之
出願人/特許権者： 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-282243
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121512
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 TABテープのインナーリードと半導体ペレット上のバンプとの位置ずれ不良を低下させると共にインナーリードが半導体ペレットとバンプ以外の部分で電気的に接触することを防止することである。【解決手段】 半導体ペレット1の外周部表面に絶縁膜8を形成しているため、TABテープ9のインナーリード3を半導体ペレット1上のバンプに接合する際、インナーリード3をガルウイング状に成型せずに前記接合を実行しても、インナーリード3を半導体ペレット1とのバンプ以外の部分での電気的接触を防止でき、また、絶縁膜8により、半導体ペレット1のダイシング時のアルミニウム捲れないため、接合の際に、アルミニウム捲れとインナーリード3との電気的接触も防止できる。これにより、インナーリード3を成型するために必要だったクランプ板を外すことができ、クランプ板が高温になることによるインナーリード3のバンプ2に対する位置ずれが著しく低減される。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法において、半導体ペレットの前記表面の外周部に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記半導体ペレットの表面に設けられたバンプにTABテープのインナーリードを接合するインナーリード接合工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/60 311 W