絶縁ゲート型半導体装置及びそれを用いた液晶表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303491
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127298
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】島状半導体層端部の段差を減少させることによりゲート絶縁膜上に形成するゲート電極の断線を防止する絶縁ゲート型半導体装置及びそれを用いた液晶表示装置を提供すること。【解決手段】表面が絶縁性である基板上に主表面及び端面を有する複数の島状半導体層と、該島状半導体層中に、ソース領域、ドレイン領域、及びそれらに挟まれたチャネル領域を有し、前記島状半導体層の端面とのみ接する前記絶縁性基板上の第1の絶縁膜と、前記島状半導体層と前記第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜と、前記チャネル領域上に前記第2の絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と接触するソース電極及びドレイン電極とを有し、前記第1の絶縁膜の膜厚は前記島状半導体層の膜厚の2倍よりも薄くする。

請求項（抜粋）：

表面が絶縁性である基板上に主表面及び端面を有する複数の島状半導体層と、該島状半導体層中に、ソース領域、ドレイン領域、及びそれらに挟まれたチャネル領域を有し、前記島状半導体層の端面とのみ接する前記絶縁性基板上の第1の絶縁膜と、前記島状半導体層と前記第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜と、前記チャネル領域上に前記第2の絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と接触するソース電極及びドレイン電極とを有し、前記第1の絶縁膜の膜厚が前記島状半導体層の膜厚の1倍以上厚く2倍よりも薄いことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1365 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 348 , H01L 21/762

FI (5件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 348 A , H01L 29/78 621 , G02F 1/136 500 , H01L 21/76 D

Fターム (63件)：

2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA07 , 2H092MA12 , 2H092MA19 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA15 , 2H092PA11 , 2H092PA13 , 5C094AA05 , 5C094AA10 , 5C094AA15 , 5C094AA32 , 5C094AA43 , 5C094AA48 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EB02 , 5C094ED14 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5C094JA01 , 5F032AA01 , 5F032AA32 , 5F032AA44 , 5F032CA11 , 5F032CA16 , 5F032CA17 , 5F032DA07 , 5F110AA12 , 5F110AA18 , 5F110BB01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG47 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110PP03

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