NROMアレイのためのプログラミングおよび消去方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-338271
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319288
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 NROMアレイのための改良されたプログラミングおよび消去方法を提供する。【解決手段】メモリアレイをプログラミングおよび消去方法は、メモリアレイの現在の状態に対しプログラミングまたは消去パルスを適応させるステップを含む。適応させるステップは、メモリアレイの高速ビットをプログラムするために使用されるプログラミングパルスの電圧レベルを決定するステップと、メモリアレイの初期プログラミングパルスレベルを、高速ビットのプログラミングパルスに概して近接したレベルに設定するステップとを含む。消去の場合、メモリアレイの低速に消去するビットを消去するために使用される消去パルスの消去条件を決定するステップと、メモリアレイの初期消去条件を、低速に消去するビットの消去条件に概して近接した条件に設定するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

プログラミングパルスを使用する、メモリアレイをプログラムする方法であって、該メモリアレイの現在の状態に対し該プログラミングパルスを適応させるステップを含む方法。

IPC (6件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7件)：

G11C 17/00 611 E , G11C 17/00 621 Z , G11C 17/00 611 A , G11C 17/00 612 B , G11C 17/00 612 E , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (23件)：

5B025AA07 , 5B025AB02 , 5B025AC04 , 5B025AD04 , 5B025AD08 , 5B025AE08 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP48 , 5F083ER02 , 5F083ER05 , 5F083GA15 , 5F083GA16 , 5F083GA17 , 5F083GA21 , 5F083ZA21 , 5F101BA45 , 5F101BB05 , 5F101BC11 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF05

引用特許：

審査官引用 (8件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-357701 出願人：ソニー株式会社
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-027670 出願人：三菱電機株式会社
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-346557 出願人：株式会社東芝

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