半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-154809
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022692
出願日： 1994年07月06日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】強誘電体メモリの強誘電体キャパシタの絶縁膜に対してスクリーニングを行う場合に、強誘電体メモリセルの読み出し動作のマージンやキャパシタの分極反転時の電気分極率の変化量ΔPを容易に測定できるようにする。【構成】それぞれ強誘電体メモリセルであるメモリセルMCおよび読み出し基準電位発生用のリファレンスセルRMCのアレイを有し、通常動作モードおよびテストモードを有する半導体記憶装置において、リファレンスセルの容量を通常動作モードでの読み出し動作時とテストモードでの読み出し動作時とによって異ならせる手段を具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

それぞれ強誘電体メモリセルであるメモリセルおよび読み出し基準電位発生用のリファレンスセルのアレイを有し、通常動作モードおよびテストモードを有する半導体記憶装置において、上記リファレンスセルの容量を通常動作モードでの読み出し動作時とテストモードでの読み出し動作時とによって異ならせる手段を具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 11/22 , G11C 14/00 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 27/10 451

FI (2件)：

G11C 11/34 352 A , H01L 27/10 325 J

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭63-201998
特開昭59-198594
特開平4-090189

審査官引用 (3件)

特開昭63-201998
特開昭59-198594
特開平4-090189

前のページに戻る