特許
J-GLOBAL ID:200903076674197529

ペロフスカイト結晶構造を有するジルコンチタン酸鉛(PZT)を基礎とする圧電セラミック材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-532419
公開番号(公開出願番号):特表2005-503990
出願日: 2002年09月20日
公開日(公表日): 2005年02月10日
要約:
本発明はPb(Zr、Ti)O3系、すなわちジルコン酸鉛PbTiO3を基礎とする圧電セラミック材料に関し、組成を変性することにより種々の使用に適合できる、きわめて良好な誘電特性および電気機械的特性を有することを特徴とする。Pb(Zr、Ti)O3を基礎とする圧電セラミック材料は高いレベルの圧電活性を得るために変性する。本発明は式A2+B4+O32-のペロフスカイトの結晶構造を有するジルコンチタン酸鉛(PZT)を基礎とする圧電セラミック材料を提供し、Zr/Ti位置での異なる原子価のアクセプターイオンおよびドナーイオンの置換基を有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
式A2+B4+O32-を有するペロフスカイト結晶構造を有するジルコンチタン酸鉛(PZT)を基礎とする圧電セラミック材料において、Zr/Ti位置での異なる原子価のアクセプターイオンおよびドナーイオンの置換基を有することを特徴とする圧電セラミック材料。
IPC (2件):
C04B35/49 ,  H01L41/187
FI (3件):
C04B35/49 A ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J
Fターム (12件):
4G031AA05 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA21 ,  4G031AA29 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  4G031GA02 ,  4G031GA11
引用特許:
審査官引用 (2件)

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