特許
J-GLOBAL ID：200903076674994968
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210163
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037089
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザ装置の熱抵抗を下げて、高出力動作や長寿命を実現する。【構成】 上下両電極側にヒートシンク100a,100bを設け、上下両電極側より放熱をおこなう半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子の基板2aの厚みを50μm以下とした。【効果】 半導体レーザ素子の基板側からの放熱を向上でき、これにより熱抵抗を低減でき、高出力動作や長寿命が実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子をp側及びn側の電極側から2つのヒートシンクで挟んだ半導体レーザ装置において、前記半導体レーザ素子の基板の厚さが50μm以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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