ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-170978
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013349
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 SiO2 層間絶縁膜3に微細なコンタクト・ホール5を開口する際の選択性を、パーティクル汚染を防止しながら向上させる。【構成】 COS(硫化カルボニル)を含むエッチング・ガスを用いる。COSに由来するカルボニル基やC-O結合がレジスト・マスク4の分解生成物に導入されると、炭素系ポリマーの膜質が強固となり、少ない堆積量でも大きな対レジスト選択性、対Si選択性の向上効果を発揮する。また、COSから生成するCO* はSiO2 層間絶縁膜3中のO原子を引き抜いてエッチングの高速化に寄与し、S(イオウ)は炭素系ポリマーと共に表面保護に寄与する。CHx F4-x ,Cm Fn ,S2 F2 等をCOSと併用すれば、高速性、高選択性、低汚染性等を一層向上できる。

請求項（抜粋）：