特許

J-GLOBAL ID：200903076677891094

半導体装置の製造方法

発明者： 津山 宏一 ,  西村 啓 ,  原田 正男 ,  直之 進 ,  氏家 年美 ,  濱 靖彦
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306032
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150116
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】生産性の良い半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】フィルム状の基板の片面に配線を形成する工程、該フィルム状の基板の配線形成面の反対面から炭酸ガスレーザで、配線に到達する穴を明け、配線を露出させる工程、露出した配線面をエネルギー線もしくはエネルギー粒子にさらし配線露出面の樹脂残渣を除去する工程、配線露出面に所望のめっきを行う工程、該フィルム状の基板に半導体素子を搭載しさらに半導体素子を封止する工程、配線露出面にはんだバンプを設ける工程を含むこと。

請求項（抜粋）：

a.フィルム状の基板の片面に配線を形成する工程、b.該フィルム状の基板の配線形成面の反対面から炭酸ガスレーザで、配線に到達する穴を明け、配線を露出させる工程、c.露出した配線面をエネルギー線もしくはエネルギー粒子にさらし配線露出面の樹脂残渣を除去する工程、d.配線露出面に所望のめっきを行う工程、e.該フィルム状の基板に、半導体素子を搭載し、さらに半導体素子を封止する工程、f.配線露出面にはんだバンプを設ける工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。