特許
J-GLOBAL ID：200903076681335503
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-346712
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183536
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 画素領域と周辺回路領域とを同一基板上に形成したアクティブマトリクス型の液晶表示装置を提供する。【構成】 同一基板上に周辺回路領域と画素領域とを形成したアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、周辺回路領域と画素領域のTFTを結晶化を助長する触媒元素が添加され結晶化された珪素膜を用いて形成する。また、周辺回路領域を構成する結晶性珪素膜はレーザー光を照射することによって結晶性を特に高めた構成とする。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜であって、前記結晶性珪素膜は結晶化を助長する触媒元素が添加されており、前記結晶性珪素膜は基板に概略垂直な方向に結晶成長が成されており、前記結晶性珪素膜を用いてアクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素領域に配置されるTFTと周辺回路領域に配置されるTFTとが形成されており、前記周辺回路領域に配置されたTFTを構成する結晶性珪素膜は、レーザー光または強光を照射することによりその結晶性が高められていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
H01L 29/78 311 Y
, H01L 29/78 311 A
