特許

J-GLOBAL ID：200903076681828828

半導体圧力センサ及びその製造方法

発明者： 斉藤 誠 ,  山口 周一郎 ,  片岡 万士
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056161
公開番号（公開出願番号）：特開平8-247874
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 ダイヤフラム部の厚みをより薄くすることなく、圧力検出感度の向上を図る。より薄いダイヤフラム部を形成するための複雑でコストの高いプロセスを省いて生産性を向上させる。【構成】 半導体基板2の裏面をエッチング処理して薄肉のダイヤフラム部3を形成する。ダイヤフラム部3の表面にピエゾ抵抗4aから成る歪検出素子4を形成すると共に、圧力検出感度を向上させるための断面略V字状の堀り込み部5を形成する。ダイヤフラム部3を形成する工程と堀り込み部5を形成する工程とを同時に行なう。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一部を薄肉に形成してダイヤフラム部を構成し、ダイヤフラム部の歪検出素子が形成される側の面に断面略V字状の堀り込み部が凹設されて成ることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-098174
  
• 半導体圧力センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-143783   出願人：株式会社フジクラ
• 特開昭54-162985