特許
J-GLOBAL ID:200903076686463453
SiC被覆砥粒を用いたダイヤモンド砥石
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
上代 哲司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-004759
公開番号(公開出願番号):特開2001-198834
出願日: 2000年01月13日
公開日(公表日): 2001年07月24日
要約:
【要約】【課題】 高寿命のダイヤモンド砥石にするとともに、切断精度が良く、乾式で使用した場合に熱によるダイヤモンド砥粒の劣化が少ないダイヤモンド砥石を得る。【解決手段】 ダイヤモンド砥粒の表面に主として等軸粒のβ-SiCからなる被膜を形成したダイヤモンド砥粒を使用する。この被膜は、一酸化ケイ素(SiO)粉末を真空中にて気化させ、ダイヤモンド砥粒の表面に反応被覆させる。被膜の厚さは2μm以下、好ましくは0.01〜0.5μmのものを使用する。
請求項(抜粋):
ダイヤモンド砥粒が結合剤で結合されてダイヤモンド層が形成されたダイヤモンド砥石であって、ダイヤモンド砥粒の表面にはSiCを主成分とする被膜が形成されている、ダイヤモンド砥石。
IPC (3件):
B24D 3/00 330
, B24D 3/00 320
, B24D 5/12
FI (3件):
B24D 3/00 330 D
, B24D 3/00 320 B
, B24D 5/12 Z
Fターム (16件):
3C063AA02
, 3C063AB03
, 3C063BB02
, 3C063BB04
, 3C063BB07
, 3C063BB15
, 3C063BC02
, 3C063BC03
, 3C063BC05
, 3C063BG07
, 3C063CC01
, 3C063CC11
, 3C063EE01
, 3C063EE16
, 3C063FF08
, 3C063FF23
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