特許

J-GLOBAL ID：200903076687280131

半導体装置の製造方法

発明者： 菅原 裕彦
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-304485
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144788
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】化合物半導体の表面を硫化アンモニウム溶液で処理して清浄かつ安定した化合物半導体表面を形成し、表面酸化物や結晶欠陥等による性能劣化を防止し、高性能で信頼性の高い半導体装置を高歩留りで製造する方法を提供する。【構成】化合物半導体上に、金属層、絶縁物層もしくは半導体層を形成して半導体装置を製造する方法において、化合物半導体表面を、所定の硫黄濃度の第1の硫化アンモニウム溶液で処理する工程、および第1の硫化アンモニウム溶液よりも硫黄濃度の低い溶液で処理する工程を基本とし、必要に応じて上記工程の後に、引き続き硫化アンモニウム溶液の硫黄濃度を変えて表面処理する工程を少なくとも含む半導体装置の製造方法。【効果】半導体ウェハ全面で均一性よく表面状態を制御できるので、安定した金属/半導体、絶縁物/半導体、半導体/半導体界面を含む高性能かつ信頼性の高い半導体装置を高歩留りで製造することができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体上に、金属層、絶縁物層もしくは半導体層を形成して半導体装置を製造する方法において、上記化合物半導体の表面を、所定の硫黄含有率を有する第1の硫化アンモニウム溶液で表面処理する工程、および上記第1の硫化アンモニウム溶液の硫黄含有率よりも低い第2の硫化アンモニウム溶液で表面処理する工程、もしくは上記の表面処理工程の後に、引き続き上記硫化アンモニウム溶液の硫黄含有率を任意に変えて表面処理を行う工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。