特許
J-GLOBAL ID：200903076689031481
小型クローズド・ドリフト・スラスタ用の磁場
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 林 鉐三
, 祖父江 栄一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-568393
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530256
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
コンパクトなクローズド・ドリフト型イオンソースの1つの実施の形態において、イオン化可能なガスが環状の放電領域へ導入される。アノードはこの領域の一端にあり、電子放出カソードは反対側の開放端付近にある。磁気回路は内側磁極から外側磁極へ延びて、両磁極は開放端付近にある。放電領域内の電子電流はそこにある磁場と相互作用して、イオンを生成して開放端から外へ加速する。磁性容器が放電領域のアノード端を取り囲む。磁性容器の隣接要素、内側磁極、および任意の中間の磁性要素は次々と接近した位置にある。磁化手段は外側磁極と磁性容器との間にのみ位置する。
請求項（抜粋）：
コンパクトなクローズド・ドリフト型イオンソースであって:
クローズド・ドリフト放電領域を定義する手段であって、前記領域の長さがそれの幅よりも長く、またその中にイオン化可能なガスが導入される手段;
前記領域の一端に位置するアノード;
前記領域の他端付近に位置する電子放出カソード;
前記放電領域の片側で、前記領域の前記他端付近に位置する第1磁極;
前記放電領域の反対側で、前記領域の前記他端付近に位置する第2磁極;
複数の磁性要素および少なくとも1つの磁化手段を含む磁気回路であって、前記磁気回路は前記第1磁極から前記第2磁極へ延びており、また前記領域の前記一端に一般に取り付けられて、前記アノードが前記磁性要素と前記領域との間に位置している磁気回路;
前記イオン化可能なガスからイオンを生成し、前記イオンを前記他端へ向かって加速するための放電手段;
前記加速されたイオンが前記領域の前記他端から離れていくことを許可する手段;
前記磁性要素の少なくとも1つが前記領域の前記一端に1つの磁性容器を提供することを特徴とし;
前記容器を形成する1または複数の前記磁性要素、前記第1磁極、および前記磁気回路の任意の中間の前記磁性要素が、隣接する要素と次々に接近しており;および
前記磁化手段が前記第2磁極と前記磁性容器との間にのみ位置している;
を含むコンパクトなクローズド・ドリフト型イオンソース。
IPC (5件)：
H05H1/54
, H01J27/08
, H01J37/04
, H01J37/08
, H05H1/24
H05H1/54
, H01J27/08
, H01J37/04 Z
, H01J37/08
, H05H1/24
5C030AA10
, 5C030AB06
, 5C030DD05
