特許
J-GLOBAL ID：200903076699411444
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-152549
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014779
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】オリエンテーションフラットを有するウェハに化学気相成長による薄膜を形成する場合、オリエンテーションフラット周辺の膜厚がウェハ中心部の膜厚に対して著しく厚くなるのを防ぎ、膜厚の面内均一性を図る。【構成】ウェハ保持ボート4が、複数枚のウェハ3を縦型反応炉の中心軸方向に対して垂直な向きに所定の間隔を隔てて平行に保持し、かつ各ウェハ3のオリエンテーションフラット15の向きを縦型反応炉の中心軸に対し所定の角度ずつ順次ずらして配置可能とした構造を有する。これにより、縦型反応炉内における単位体積あたりのガス密度差を緩和することができ、オリエンテーションフラット周辺の膜厚増加を防ぐ。
請求項（抜粋）：
縦型反応炉内にオリエンテーションフラットを有する半導体基板を収納し、前記半導体基板表面に原料ガスの化学反応による薄膜を成長させる半導体製造装置において、複数枚の前記半導体基板を縦型反応炉の中心軸方向に対して垂直な向きに所定の間隔を隔てかつ平行に保持し、各半導体基板のオリエンテーションフラットの向きを縦型反応炉の中心軸に対し所定の角度ずつ順次ずらして配置する半導体基板保持ボートを有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/12
, C30B 25/14
