特許
J-GLOBAL ID：200903076705663833
加熱装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-247542
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077349
出願日： 1998年09月01日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 被加熱体の特定の一部領域のみを選択的に加熱でき、1の被加熱体において、異なる温度の熱処理を必要とする複数のプロセスを容易に実現可能とする加熱装置を提供する。【解決手段】 石英管11の外側に放物面反射鏡20aを備えた均一照射の赤外線ランプ20が複数個(ここでは3個)配設されている。半導体ウェハ13は、例えば、ロジック部分とDRAM部分を含むDRAM混載ロジックのLSIが形成されたものであり、高温の熱処理はDRAM部分のみに必要であり、ロジック部分には必要ではない。サセプタ12の上部には、半導体ウェハ13を覆う大きさのマスク14が配置されている。赤外線ランプ20から、半導体ウェハ13の全体に向けて赤外線20bが照射されるが、マスク14が介在しているため、開口14a以外の部分では赤外線20bが遮断される。従って、半導体ウェハ13の特定部分(DRAM部分)にのみ赤外線が照射され、DRAM部分が選択的に加熱される。
請求項（抜粋）：
被加熱体の特定の一部領域のみを選択的に加熱するための加熱装置であって、加熱用の光源と、前記被加熱体を保持するための保持台と、前記被加熱体の特定の一部に対応した光透過部を有すると共に、前記保持台と前記光源との間に設けられ、前記光透過部以外からの前記被加熱体への光の照射を遮断するマスクとを備えたことを特徴とする加熱装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/26 G
, H01L 21/268 G
