特許
J-GLOBAL ID：200903076714851758
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-020846
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231142
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：
【要約】【目的】 ホールの注入効率が高く、動作電圧が低い半導体発光素子を得る。【構成】 p型GaAs基板1上にワイドバンドギャップp-ZnSeクラッド層3をエピタキシャル成長するにおいて、該両者間にそのバンドギャップが基板1より大きく、ワイドバンドギャップp-ZnSeクラッド層3より小さい(Alx Ga1-x )y In1-y Pバッファ層2を挿入した。【効果】 基板1とクラッド層3間のバンド不連続が緩和され、ホールのクラッド層3への注入はスムーズに行われ、動作電圧が低減される。
請求項（抜粋）：
p型III-V 族半導体基板上にワイドバンドギャップII-VI 族化合物層をエピタキシャル成長してなる半導体発光素子において、上記p型III-V 族半導体基板と、上記ワイドバンドギャップII-VI 族化合物層との間に、バッファ層として、そのバンドギャップが上記p型III-V 族半導体基板より大きく、上記ワイドバンドギャップII-VI 族化合物層より小さいIII-V 族半導体層を挿入したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G11B 7/125
, H01L 33/00
