基板のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303655
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127041
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】熱ダメージがなく均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】処理室2内にの下部電極3上に半導体ウェハ4を載置してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、半導体ウェハ4の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する樹脂シート4aによって固定された状態の半導体ウェハ4の縁部を基板押さえ部材5によって下部電極3の表面に押さえ付けた状態でプラズマ処理を行う。これにより、温度上昇による熱変形において半導体ウェハの中央部を樹脂シート4aを介して下部電極3に押し付けるようにすることができ、下部電極3の表面に隙間が生じることがなく、異常昇温による熱ダメージや局部放電を防止することができる。

請求項（抜粋）：

密閉空間である処理室内に配置された電極上に処理対象の基板を載置してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、基板の下面に基板の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有するサポート部材を一体的に設け、サポート部材側の面を下方に向けて前記電極上に載置された基板の縁部またはサポート部材の縁部に上方から当接して電極へ押えつける基板押え手段と、この電極を冷却する冷却手段とを備えたことを特徴とする基板のプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (3件)：

C23F 4/00 A , H05H 1/46 M , H01L 21/302 C

Fターム (17件)：

4K057DA20 , 4K057DB06 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DD08 , 4K057DM03 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 5F004AA06 , 5F004BA04 , 5F004BB19 , 5F004BB21 , 5F004BB25 , 5F004BD07 , 5F004DB01 , 5F004DB23 , 5F004EA38

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