半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203571
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070012
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】サイドウォールの間隔よりも短いゲート長を有する半導体装置、および、この装置に適した製造方法を得ることを目的とする。【構成】半絶縁性GaAs基板1の主面上に活性層であるN型GaAs層2が形成され、N型GaAs層2の表面に設けられたリセス2aには、WSiで構成され、N型GaAs層2との間でショットキー接合を形成する接合部11が設けられている。接合部11上にはAuのT型ゲート電極4が、そのT型の脚に相当する部分を接合部11の表面に接するように設けられている。【効果】 T型ゲート電極の電極長は当該T型ゲート電極の脚部の断面幅のみで定まり、T型ゲート電極の電極長を従来よりも短縮でき、超高周波帯で高利得を得ることが可能な半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

主面上にリセスを有する活性層と、水平方向に延在する頭部と該頭部から垂直に延在する脚部とで断面形状が実質的にT字型をなすT型ゲート電極とを備えた半導体装置において、前記T型ゲート電極の前記脚部は、前記脚部の断面幅とほぼ同じ断面幅を有し、活性層との間でショットキー接合を形成する接合部を介して前記リセスに接続されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/48 H , H01L 29/48 S

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