特許
J-GLOBAL ID:200903076732984412

光半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 章夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-033596
公開番号(公開出願番号):特開平11-311722
出願日: 1999年02月12日
公開日(公表日): 1999年11月09日
要約:
【要約】【課題】 光硬化樹脂を用いた光ファイバ芯線の固着強度を高め、かつ光硬化樹脂におけるクラックの発生防止や光ファイバ芯線における応力緩和を図って信頼性の高い光半導体装置を提供する。【解決手段】 ケース101の上面に凹設されたキャビティ102内にヒートシンク107が固着され、かつヒートシンクの表面に設けられた断面がV字状の光ファイバ芯線ガイド溝に光ファイバ芯線が配設され、この光ファイバ芯線は、前記光ファイバ芯線ガイド溝113に充填された紫外線硬化樹脂119と、この紫外線硬化樹脂119の表層部に配設された紫外線透過特性のガラス板122とにより固着される。このガラス板122は硬化された紫外線硬化樹脂119と一体化されるために紫外線硬化樹脂119の樹脂量を低減でき、また紫外線透過により紫外線硬化樹脂119を下層にまでわたって充分に硬化させて光ファイバ芯線11の固着強度を高め、かつ紫外線硬化樹脂119におけるクラックの発生を抑制し、光ファイバ芯線11の固着の信頼性が向上される。
請求項(抜粋):
ケース内に光素子が搭載され、かつ前記光素子に光結合する光ファイバの端部が光硬化樹脂で前記ケースに固着されている光半導体装置において、前記光硬化樹脂の表層部に前記光硬化樹脂を硬化する光を透過する透明板が配置され、かつ前記透明板は硬化された前記光硬化樹脂と一体化されていることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件):
G02B 6/42 ,  H01L 33/00
FI (2件):
G02B 6/42 ,  H01L 33/00 M
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る