特許
J-GLOBAL ID：200903076745184555
単結晶育成装置及び方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-098376
公開番号（公開出願番号）：特開平10-279395
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月20日
要約：
【要約】【課題】 カスプ磁界を用いたCZ引き上げにおいて、単結晶引き上げ方向の酸素濃度分布を均一化する。装置構成の複雑化を回避する。【解決手段】 上下1組の環状磁石4,4を組み合わせた磁界発生手段の内周側に、坩堝1を包囲する環状で且つ反磁性の磁束誘導部材6を設ける。磁束誘導部材6を軸方向に移動可能とする。磁束誘導部材6により、カスプ磁界の水平部分を引き上げ方向において集中させる。単結晶3の引き上げの進行に伴って磁束誘導部材6を昇降させることにより、原料融液2に印加されるカスプ磁界の分布形状を能動的に制御する。
請求項（抜粋）：
CZ法により坩堝内の原料融液から単結晶を引き上げる育成装置本体と、育成装置本体の外周側に配置され、上下1組の環状磁石の組み合わせによりカスプ磁界を発生させる磁界発生手段と、磁界発生手段の内周側にあってその磁界発生手段が発生するカスプ磁界を引き上げ方向で部分的に遮蔽すると共に、その引き上げ方向に移動可能とされた反磁性の磁束誘導部材とを具備することを特徴とする単結晶育成装置。
IPC (4件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/00
, C30B 30/04
, H01L 21/208
C30B 29/06 502 G
, C30B 15/00 P
, C30B 30/04
, H01L 21/208 P
