特許

J-GLOBAL ID：200903076745393910

SiN低温堆積法

発明者： パランジュペ, アジト, ピー. ,  ツァン, カンツァン ,  マクドーガル, ブレンダン ,  ヴェレブ, ウェイン ,  パッテン, マイケル ,  ゴールドマン, アラン ,  ナグ, ソムナス
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-537880
公開番号（公開出願番号）：特表2008-517479
出願日： 2005年08月15日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

処理領域内で、シリコン含有前駆物質を処理領域に導入し、処理領域の圧力を均一に徐々に低下させつつシリコン含有前駆物質を含む処理領域におけるガスを排出させ、窒素含有前駆物質を処理領域に導入し、処理領域の圧力を均一に徐々に低下させつつ窒素含有前駆物質を含む処理領域におけるガスを排出させることにより、基板上に窒化シリコン層を堆積させる。排出させるステップの間、時間に対する圧力低下の勾配はほぼ一定である。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

処理領域内で基板上にシリコンと窒素を含む層を堆積させる方法であって、 該処理領域にシリコン含有前駆物質を導入するステップと、 該処理領域の圧力を均一に徐々に低下させつつ該シリコン含有前駆物質を含む該処理領域におけるガスを排出させるステップと、 該処理領域に窒素含有前駆物質を導入するステップと、 該処理領域の圧力を均一に徐々に低下させつつ、窒素含有前駆物質を含む該処理領域におけるガスを排出させるステップと、 を含む前記方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/34

FI (2件)：

H01L21/318 B ,  C23C16/34

Fターム (17件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  5F058BC08 ,  5F058BF03 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37