特許

J-GLOBAL ID：200903076750016636

半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 仁科 俊之
出願人/特許権者： ローム株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222782
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088433
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、特に放熱特性を向上させたサブマウントの製造方法を提供することにある。【構成】 シリコンサブマウント1上に酸化膜11を形成した後、前記酸化膜を除去し、このシリコンサブマウント1上に再度酸化膜12を形成する。次に酸化膜12上に開口部を設け、この酸化膜12上に金属材料13を被着する。この金属材料15をエッチングし酸化膜12上にダイボン部3とこれに電気的に接続する配線パターン4とシリコンサブマウント1に電気的に接続するワイボン部5を形成する。最後にダイボン部3上にレーザチップ6を固着し、前記レーザチップ6の上面電極と前記ワイボン部5と金属ワイヤ7で電気的に接続することで半導体レーザ装置を完成する。

請求項（抜粋）：

シリコンサブマウント上に酸化膜を形成した後、前記酸化膜を除去する工程と、前記シリコンサブマウント上に再度酸化膜を形成した後、前記酸化膜上に開口部を設け、前記酸化膜上に金属材料を被着する工程と、前記金属材料をエッチングし酸化膜上の第1の金属配線と前記シリコンサブマウントに電気的に接続する第2の金属配線とを形成する工程と、前記第1の金属配線上にレーザチップを固着し、前記レーザチップの上面電極と前記第2の金属配線と金属ワイヤで電気的に接続する工程を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。