特許

J-GLOBAL ID：200903076755980406

三次元メモリモジュール及びそれを用いた半導体装置

発明者： 仙波 直治 ,  嶋田 勇三 ,  森崎 郁志 ,  草光 秀樹 ,  大塚 誠 ,  橋本 克正
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-083182
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284683
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 高度な技術と長期の開発期間を必要としないで容易に短期間で、低コストなチップセレクタ入りの三次元メモリモジュールを実現する。【解決手段】 キャリヤ1にバンプ6を用いてチップセレクタチップ3とメモリチップ4を搭載する。次に封止樹脂5により、キャリヤ1とチップセレクタチップ3とメモリチップ4の間を樹脂封止し、単品のチップセレクタ入りメモリモジュールを製造する。キャリヤ1には、スタックバンプ7によるスタック用のスタックパッド2が形成されている。単品のチップセレクタ入りメモリモジュールをスタックバンプ7により所望の段数スタックして、チップセレクタ入り三次元メモリモジュールを製造する。これによって、高度な技術と長期の開発期間を必要としないで、容易に短期間で低コストなチップセレクタ入りの三次元メモリモジュールを実現できる。

請求項（抜粋）：

回路パターンが形成されたキャリヤ及びこのキャリヤにフリップチップ接続された半導体チップを有する複数の半導体装置ユニット同士をバンプ接続法を用いてスタック接続して構成し、前記半導体装置ユニットの各キャリヤ毎にチップセレクト用半導体素子を搭載してなることを特徴とする三次元メモリモジュール。

IPC (4件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/10 495

FI (2件)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 27/10 495

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-294116   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社, 日立東部セミコンダクタ株式会社, アキタ電子株式会社