特許
J-GLOBAL ID:200903076756255284
ルミネセンス変換層を有するオプトエレクトロニクス素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, 杉本 博司
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-251154
公開番号(公開出願番号):特開2008-091911
出願日: 2007年09月27日
公開日(公表日): 2008年04月17日
要約:
【課題】ルミネセンス変換層が被覆された領域の改良された色の印象により際立つ、ルミネセンス変換層を有する改良されたオプトエレクトロニクス素子を提供する。【解決手段】オプトエレクトクス素子の運転中に電磁線(8)を放出する活性層(2)、および電磁線(8)の放出方向(9)で活性層(2)の後方に続くルミネセンス変換層(5)を有するオプトエレクトロニクス素子において、前記放出方向(9)でルミネセンス変換層(5)の後方に光を散乱する半透明の層(6)が続くことを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
オプトエレクトクス素子の運転中に電磁線(8)を放出する活性層(2)、および電磁線(8)の放出方向(9)で活性層(2)の後方に続くルミネセンス変換層(5)を有するオプトエレクトロニクス素子において、前記放出方向(9)でルミネセンス変換層(5)の後方に光を散乱する半透明の層(6)が続くことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
IPC (4件):
H01L 33/00
, H05B 33/02
, H05B 33/12
, H01L 51/50
FI (4件):
H01L33/00 N
, H05B33/02
, H05B33/12 E
, H05B33/14 A
Fターム (10件):
3K107AA01
, 3K107CC07
, 3K107CC09
, 3K107CC31
, 3K107DD03
, 3K107EE24
, 3K107EE28
, 3K107EE46
, 5F041AA11
, 5F041EE25
引用特許: