特許
J-GLOBAL ID：200903076759806273
発光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-304018
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072527
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】 紫外光を吸収するGaN層を除去したGaN系化合物半導体薄膜層からなる発光効率の高い紫外LED素子及び、高い歩留まりで製造できるその製造方法を提供する。【解決手段】 紫外LED素子1は、透光性酸化物層であるケイ酸塩ガラス層9の下に、前記2つのGaN層を除き、紫外光を発光する発光層を含むGaN系化合物半導体薄膜層を積層したエピ層8と、前記エピ層側の電極面15に形成されたn側電極12およびp側電極11を有して、エピ層8から発光される紫外光をケイ酸塩ガラス層9を介して外部に発光する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
GaN系化合物半導体薄膜層からなる発光層を有する発光素子において、
一方の面上にn側電極及びp側電極を有し、n側電極上にGaN層を除くGaN系化合物半導体薄膜層を積層した発光層を有し、前記GaN系化合物半導体薄膜層の上に透光性酸化物層または蛍光体を含有した酸化物層が形成されていることを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041EE25
