特許

J-GLOBAL ID：200903076765558680

シリコン(Si)基板上に結晶性アルカリ土類金属酸化物を作成する方法

発明者： ツィイ・ジミー・ユ ,  ジェラルド・エー・ハルマーク ,  ジョナサン・ケー・アブロクワ ,  コーレイ・ディー・オバガード ,  ラビ・ドローパッド
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-223571
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050623
出願日： 2000年07月25日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 Si基板上に結晶性アルカリ土類金属酸化物を作成する新規の改善された方法を提供する。【解決手段】 Si基板上に結晶性アルカリ土類金属酸化物を作成する方法であって、表面に非晶質二酸化シリコンを伴うSi基板が得られる方法が提供される。基板は、摂氏700ないし800度の範囲の温度に加熱され、約10-9ないし10-10Torrの範囲の圧力において分子線エピタキシ・チャンバの中でアルカリ土類金属線にさらされる。分子線エピタキシの間、表面は、RHEED法によりモニタされて、非晶質二酸化シリコンの結晶性アルカリ土類金属酸化物への転化が判断される。アルカリ土類金属酸化物が生成されると、追加の材料層、たとえば追加の厚みを有するアルカリ土類金属酸化物,単結晶強誘電体または高誘電率酸化物が、不揮発性の高密度メモリ装置用途のためにシリコン上に生成される。

請求項（抜粋）：

Si基板に結晶性アルカリ土類金属酸化物を作成する方法であって:基板の表面に、ある昇華温度を有する二酸化シリコンを伴うSi基板を設ける段階;前記基板を前記二酸化シリコンの前記昇華温度未満に加熱する段階;および前記基板表面をアルカリ土類金属線にさらす段階;によって構成されることを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  C01F 5/02 ,  C01F 11/02 ,  C30B 23/06 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/203

FI (6件)：

H01L 21/316 X ,  C01F 5/02 ,  C01F 11/02 Z ,  C30B 23/06 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/203 Z

Fターム (25件)：

4G076AA02 ,  4G076AB16 ,  4G076BF05 ,  4G076DA03 ,  4G077AA03 ,  4G077BB02 ,  4G077BB10 ,  4G077DA05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA12 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF20 ,  5F058BJ01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD27 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL08 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103PP02